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Siliziumkarbid-Suszeptor

Siliziumkarbid-Suszeptor

Hochreine SiC-Beschichtung bietet gleichmäßige Wärme, hohe Temperaturstabilität, Und Null Kontamination für hochpräzise Halbleiterprozesse.

  • Suszeptorschale aus Siliziumkarbid
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Vorteile des Siliciumcarbid-Suszeptors

  • Hohe Chemikalienbeständigkeit schützt vor Säure-, Laugen- und organischer Korrosion
  • Ultrahochreine SiC-Beschichtung minimiert die Kontamination während der Halbleiterverarbeitung
  • Feine, dichte Oberflächenstruktur unterstützt einen reibungslosen Gasfluss und ein sauberes Filmwachstum
  • Garantien gleichmäßige Wärmeverteilung für eine gleichmäßige Wafererwärmung

CVD-Siliziumkarbid-Suszeptoren für Epitaxie RTA PVD CMP LED

Die aus hochreinem, mittels CVD-Verfahren mit SiC beschichtetem Graphit hergestellten Newthink-Suszeptoren bieten ausgezeichnete thermische Stabilität, Oxidationsbeständigkeit und gleichmäßige Wärmeverteilung. SiC-Keramiksuszeptoren widerstehen Temperaturen von bis zu 1650 °C und extremen chemischen Umgebungen und bieten so Prozesskonstanz und Kontaminationsfreiheit. Sie werden für Epitaxie-, RTA-, PVD-, CMP-, LED- und Photovoltaikanwendungen hergestellt und bieten sauberer und stabiler Betrieb für anspruchsvolle Halbleiterprozesse.

CVD-Siliziumkarbid-Suszeptoren für Epitaxie RTA PVD CMP LED

Hochleistungs-Siliziumkarbid-Suszeptoren für Halbleiterprozesse

Die Newthink-Produktreihe an SiC-beschichteten Trays und Suszeptoren ist für die Waferbearbeitung mittels MOCVD, CVD und Hochtemperaturverfahren konzipiert und gewährleistet Präzision, Reinheit, Und Haltbarkeit.

MOCVD Tray Susceptor
MOCVD Tray Susceptor

Speziell für MOCVD-Reaktoren entwickelt. Verhindert das Ablösen von Partikeln und unterstützt eine gleichmäßige Filmbeschichtung in LED- und GaN-Prozessen.

SiC-beschichtete Wafer-Trägerschale
SiC-beschichtete Wafer-Trägerschale

Sichere Unterstützung für Wafer in Hochtemperaturprozessen wie RTA, PVD und CVD.

CVD-SiC-Suszeptor
CVD-SiC-Suszeptor

Hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung. Liefert ultrareine Oberflächen, die für die Halbleitererwärmung geeignet sind.

CVD-SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Tray
CVD-SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Tray

Entwickelt für Hochtemperaturumgebungen in der Halbleiterindustrie. Langlebig und korrosionsbeständig.

Anwendungsgebiete von Siliciumcarbid-Suszeptoren

Hochreine, SiC-beschichtete Graphitschalen und -suszeptoren bieten stabile Unterstützung in wichtigen Halbleiter- und optoelektronischen Anwendungen.

  • Epitaxiales Wachstum
    Epitaxiales Wachstum

    In Epitaxiereaktoren eingesetzt, sorgen SiC-beschichtete Suszeptoren für eine gleichmäßige Wärmeverteilung und saubere Oberflächen, was eine gleichbleibende Schichtdicke und einen konsistenten spezifischen Widerstand gewährleistet.

  • MOCVD-Verfahren
    MOCVD-Verfahren

    In MOCVD-Systemen verhindern unsere SiC-Trays das Ablösen von Partikeln und gewährleisten eine stabile Leistung bei der Herstellung von GaN- und LED-Wafern.

  • RTA und thermische Verarbeitung
    RTA und thermische Verarbeitung

    Ideal für RTA, hält Temperaturen bis zu 1650℃ stand und schützt die Wafer vor Verunreinigungen und Verformungen.

  • Halbleiterfertigung
    Halbleiterfertigung

    Die für den Einsatz in CVD-, PVD-, ICP- und CMP-Anlagen entwickelten SiC-Suszeptoren bieten eine stabile Unterstützung und chemische Beständigkeit im Halbleiterproduktionsprozess.

  • LED- und Optoelektronikfertigung
    LED- und Optoelektronikfertigung

    Bietet thermisch stabile und partikelfreie Unterstützung für LED-Chips während mehrerer Heiz- und Reinigungszyklen.

  • Photovoltaik-Wafer-Verarbeitung
    Photovoltaik-Wafer-Verarbeitung

    SiC-Trays werden in der Solarzellenproduktion eingesetzt, um die Stabilität der Wafer in oxidierenden Atmosphären und bei Temperaturwechseln zu gewährleisten.

Warum sollten Sie sich für Newthink Siliziumkarbid-Suszeptor entscheiden?

Auswahl Newthink Das bedeutet, sich für gleichbleibende Qualität zu entscheiden, denn wir liefern genau das, was Sie brauchen.

Starke Massenproduktion
Hohe Massenproduktionskapazität

Um Ihren hohen Bestellbedarf zu decken und gleichbleibende Lieferzeiten zu gewährleisten.

Präzisionsfertigung für enge Toleranzen

Unser SiC-Komponenten Erfüllen Sie die extremen Maßanforderungen – Ebenheit bis zu 0,0005 mm – um die Herausforderungen der Kunden hinsichtlich thermischer Gleichmäßigkeit und Passgenauigkeit zu lösen.

Zertifizierte Qualität mit globaler Zuverlässigkeit

ISO9001-zertifiziert Produktion und Lieferungen in über 40 Länder gewährleisten zuverlässige Leistung und Chargenkonstanz für High-End-Industrien.

Stabile Versorgung mit schneller Abwicklung

Bestellungen mit geringem Volumen werden in nur 15 Tagen versandt, wodurch dringende Bedürfnisse erfüllt und Projektausfallzeiten reduziert werden.

Produktionswerkstatt für Siliziumkarbid-Suszeptoren

Newthink verfügt über 14 Jahre Erfahrung in der Herstellung von Hochleistungskeramik. Unsere Fabrik ist mit modernsten CVD-Beschichtungsanlagen, hochpräzisen CNC-Maschinen und automatisierten Prüfsystemen ausgestattet, um eine gleichbleibende Qualität bei der Produktion von Siliziumkarbid-Suszeptoren zu gewährleisten. Dank unserer hohen Produktionskapazität und strengen Qualitätskontrollen können wir höchste Qualitätsstandards garantieren. ISO-Management, Dank maßgeschneiderter Schutzverpackungen liefert Newthink weltweit stabile und kontaminationsfreie Produkte.

Produktionswerkstatt für Siliziumkarbid-Suszeptoren
Vielseitige Siliciumcarbid-Suszeptortypen für Epitaxiereaktoren

Vielseitige Siliciumcarbid-Suszeptortypen für Epitaxiereaktoren

Newthink bietet SiC-Suszeptoren in Barrel-, Pancake- und Einzelwaferform an, die für eine Vielzahl von Epitaxiereaktoren geeignet sind, darunter Systeme von Applied, LPE, CSD, Gemini und ASM. Alle Substrate bestehen aus hochfestem isostatischem Graphit und sind speziell für anspruchsvolle Prozesse wie Epitaxie, Kristallzüchtung, Ionenimplantation und LED-Chip-Herstellung entwickelt.

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Warum sind viele Wafer-Suszeptoren SiC-beschichtet?

Der SiC-beschichtete Suszeptor vereint die Vorteile beider Welten: verbesserte thermische Eigenschaften aus Graphit kombiniert mit einem harte, inerte SiC-Oberfläche. Die Beschichtung dient gleichzeitig als Schutzschild. Ohne sie würde heißes Graphit in einer reaktiven Gasumgebung oxidieren oder Partikel versprühen, doch SiC versiegelt die Oberfläche und verhindert diese Zersetzung. SiC ist zudem extrem hart und chemisch beständig gegenüber korrosiven Chemikalien. Daher sind beschichtete Suszeptoren resistent gegen den Verschleiß durch Prozessgase (z. B. Chlor oder Ammoniak), die unbeschichtetes Graphit korrodieren würden.

Aus welchen Materialien bestehen Siliciumcarbid-Suszeptoren?

SiC-beschichteter GraphitEin Graphitkern mit einer Siliziumkarbidbeschichtung ist wohl die am weitesten verbreitete Suszeptorkonstruktion. Die SiC-Beschichtung sorgt für eine extrem saubere, harte und chemisch inerte Oberfläche, die den Suszeptor äußerst verschleißfest und langlebig macht.
Reiner Graphit (Kohlenstoff)Manche Suszeptoren bestehen ausschließlich aus reinem Graphit. Graphit besitzt sehr hohe Schmelzpunkte und eine sehr gute thermische Homogenität. In reaktiven Atmosphären kann es jedoch oxidieren oder Partikel verlieren und benötigt daher in der Regel eine Schutzbeschichtung.
Quarz (Siliciumdioxid)Quarz-Suszeptoren oder Wafer-Boote werden in Reinraumprozessen wie Diffusionsöfen und Oxidations-/Glühprozessen eingesetzt. Quarzglas ist extrem rein (99,991 % SiO₂) und hält Temperaturen von etwa 1000–1200 °C stand.
Metall (zum Beispiel Molybdän)Metallische Suszeptoren werden in bestimmten Reaktoren und RTPs eingesetzt. Molybdän besitzt eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und lässt sich präzise bearbeiten, weshalb es in Einzelwafer-MOCVD-Reaktoren und einigen RTP-Systemen Verwendung findet. Metalle sind zwar extrem temperaturbeständig, müssen aber unter nicht-oxidierenden Bedingungen eingesetzt werden, um Korrosion zu vermeiden.

Wie hoch ist die typische Lebensdauer eines Siliziumkarbid-Suszeptors?

Die Lebensdauer eines Suszeptors hängt von den Materialien und den Prozessbedingungen ab, jedoch unterliegen alle Suszeptoren einem gewissen Verschleiß. In sauberen, milden Umgebungen können sie Hunderte von Zyklen überstehen. In anspruchsvollen Umgebungen wie der GaN-MOCVD-Beschichtung kann Verschleiß oder Ablagerungen einen früheren Austausch erforderlich machen. SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren halten aufgrund ihrer besseren Korrosions- und Verschleißbeständigkeit länger als unbeschichtete. Quarzsuszeptoren sind ebenfalls langlebig, müssen aber bei Entglasung oder Rissen ausgetauscht werden. Regelmäßige Wartung, wie Reinigung und Vermeidung von Temperaturschocks, trägt zur Verlängerung der Lebensdauer bei.

Was kosten Siliziumkarbid-Suszeptoren? Gibt es eine Mindestbestellmenge?

Die Preise für Wafer-Suszeptoren von Newthink variieren je nach Größe, Material (z. B. Quarz, Graphit oder SiC-beschichtet), Designkomplexität und Präzisionsanforderungen. Da es sich bei Suszeptoren um hochpräzise Bauteile handelt, erstellt Newthink individuelle Angebote auf Basis der Kundenspezifikationen und der aktuellen Materialpreise.
Bei Einzelstückbestellungen für Forschungs- und Entwicklungszwecke oder als Ersatzteile sind höhere Stückkosten zu erwarten. Bei größeren Bestellmengen kann der Stückpreis sinken.

Wie schneiden SiC-Suszeptoren im Vergleich zu Quarz- oder Graphitsuszeptoren ab?

SiC-Suszeptoren bieten überlegene Hochtemperaturfestigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Langlebigkeit Im Vergleich zu Quarz und Graphit behält SiC seine Festigkeit bis zu Temperaturen von 1600 °C. Quarz erweicht oberhalb von 1100 °C und wird instabil. SiC-Suszeptoren weisen zudem eine höhere Wärmeleitfähigkeit auf, was zu einer schnelleren und gleichmäßigeren Erwärmung führt. Aufgrund seiner Beständigkeit gegen Temperaturschocks und Verschleiß ist SiC außerdem deutlich langlebiger als Quarz.

Können die SiC-Suszeptoren Temperaturwechsel ohne Degradation überstehen?

Ja. SiC-Keramiken weisen eine bemerkenswerte Beständigkeit gegenüber Temperaturwechseln auf und widerstehen dank ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit schnellen Temperaturänderungen ohne Rissbildung. SiC-Keramik-Suszeptoren behalten ihre Festigkeit auch bei hohen Temperaturen. Sie behalten ihre strukturelle Steifigkeit selbst nach wiederholten Temperaturwechseln. Ihre Fähigkeit, extremen Temperaturen und Temperaturschwankungen ohne schnelle Verschlechterung standzuhalten, macht sie ideal für thermische Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen.

Welche Faktoren beeinflussen die Lebensdauer eines Siliciumcarbid-Suszeptors?

Die Lebensdauer eines Siliziumkarbid-Suszeptors hängt ab von Temperatur, mechanische Belastung und Betriebsqualität.
Bei Betrieb nahe oder oberhalb der Auslegungstemperatur beschleunigt sich die Oxidation, was den Widerstand erhöht und die Alterung beschleunigt. Die Umgebung trägt zu diesen Prozessen bei, da oxidierende Gase die Oberfläche oxidieren. Weitere Einflussfaktoren sind unsachgemäße Installation und übermäßige Oberflächenbelastungen, die thermische und mechanische Spannungen erzeugen, welche zu Rissbildung und verkürzter Lebensdauer führen können.

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