BN-Sputtertarget-Hersteller für hochpräzise kundenspezifische Anforderungen
Die Bornitrid-Sputtertargets von Newthink eignen sich für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD). Unsere BN-Keramikprodukte zeichnen sich durch hervorragende elektrische Isolation, hohe Wärmeleitfähigkeit und chemische Inertheit aus und gewährleisten so ein gleichmäßiges und effizientes Sputtern. Die Bornitrid-Keramiktargets werden mit hoher Reinheit (≥ 99,51 % TP3T) und Dichte hergestellt und sind speziell für die Kompatibilität mit Hochfrequenz- (RF) und reaktiven Hochfrequenz-Sputterverfahren (RF-R) mit einer maximalen Leistungsdichte von bis zu 20 Watt pro Quadratzoll ausgelegt. Erzielen Sie herausragende Ergebnisse mit den präzisionsgefertigten Lösungen von Newthink.
Bornitrid-Sputtertarget für verschiedene Industrien
Newthink bietet Bornitrid-Sputtertargets in verschiedenen Formen, Größen und Verfahren an, die in unterschiedlichen Branchen eingesetzt werden können.
HalbleiterfertigungEs können c-BN-Dünnschichten abgeschieden werden, was für Anwendungen in Hochtemperatur- und Hochfrequenzgeräten von entscheidender Bedeutung ist.
Optische BeschichtungHohe Transparenz und kann als Antireflexionsschicht für optische Geräte eingesetzt werden, wodurch Haltbarkeit, geringe Reibung und Verschleißfestigkeit verbessert werden.
HochtemperaturbeschichtungSie besitzen eine ausgezeichnete Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit und eignen sich daher gut für den Einsatz in industriellen Hochtemperaturanlagen.
Verpackung elektronischer GeräteWirkt als sehr gutes Wärmeableitungsmaterial und verlängert die Lebensdauer elektronischer Bauteile durch verbesserte Wärmeableitung.
Eigenschaften und Anwendungen von Bornitrid-Sputtertargets
Bornitrid-Sputtertargets sind hochschmelzende Verbindungen mit ausgezeichneter thermischer und chemischer Stabilität. Die wichtigsten Eigenschaften und Anwendungsgebiete von Bornitrid-Sputtertargets sind nachfolgend aufgeführt.
Reinheit ≥99,51 TP3T, hohe Reinheit für stabile und zuverlässige Leistung in Präzisionsdünnschichten
Die Wärmeleitfähigkeit kann 300-400 W/(m・K) betragen, bei guter Wärmeableitung.
Beständig gegen Säuren, Laugen und die meisten korrosiven Gase. Ideal zur Herstellung von Schutzbeschichtungen unter anspruchsvollen Arbeitsbedingungen.
Die Härte von kubischem Bornitrid steht der von Diamant nach (Mikrohärte bis zu 45-50 GPa) und es weist eine überlegene Verschleißfestigkeit auf.
Anwendbar auf konventionelle RF- und RF-R-Sputterverfahren und bietet somit vielseitige Einsatzmöglichkeiten bei der Abscheidung.
Der spezifische Widerstand ist höher als 1012 Ω・cm bei Raumtemperatur, was es zu einem idealen Hochfrequenz-Isoliermaterial macht.
Erfüllt die Anforderungen an die Lichtdurchlässigkeit von optischen Präzisionsbauteilen und sorgt für Klarheit und Leistungsfähigkeit optischer Beschichtungen.
Bornitrid-Sputtertargets haben einen hohen Schmelzpunkt und können ihre Struktur bei Temperaturen über 2000℃ stabil halten.
Warum sollte man sich für ein Newthink Bor-Nitrid-Sputtertarget entscheiden?
Auswahl Newthink Das bedeutet, sich für verlässliche und gleichbleibende Qualität zu entscheiden. Wir bieten präzise Dünnschichtabscheidungslösungen, die speziell auf Ihre Anwendung zugeschnitten sind.
Vielseitige Herstellung von hexagonalen Bornitrid- (h-BN) und kubischen Bornitrid- (c-BN) Filmen für flexible Anwendungen in verschiedenen Industrien.
Die Reinheit des Bornitrid-Sputtertargets beträgt ≥99,5%, und der Gehalt an Verunreinigungen liegt unter dem Branchendurchschnitt.
Kleinere Mustermengen können innerhalb von 3-7 Tagen geliefert werden.
Sein ISO-zertifiziert, Wir überwachen jeden Prozess streng, um sicherzustellen, dass jedes Ziel den höchsten Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards entspricht.
Jedes Produkt wird vor dem Verpacken einer strengen Größenprüfung unterzogen.
Newthink bietet ein ultrareines Reinigungsverfahren nach Halbleiterstandard an, um Partikelverunreinigungen von der Quelle her zu vermeiden.
Werkstatt zur Herstellung von Bornitrid-Sputtertargets
Die Bornitrid-Sputtertargets von Newthink werden in einem Präzisionsverfahren hergestellt, das fortschrittliche Schmelztechnologie zur Erzeugung von Hochleistungsmaterialien nutzt. Bornitridpulver Bis zu 99,91 % Reinheit (TP3T) für optimale Dichte und Mikrostruktur des Targets. Jedes Bornitrid-Sputtertarget wird vor dem Versand sorgfältig gereinigt, um Oberflächenverunreinigungen zu entfernen, und anschließend vakuumverpackt in einem feuchtigkeitsdichten Plastikbeutel. Newthink hat sich der Bereitstellung von Hochleistungs-Sputtertargets verschrieben, die Ihren Beschichtungsprozess optimieren und Ihnen exzellente Ergebnisse liefern.
Gängige kundenspezifische Größen und Formen von Bornitrid-Sputtertargets
Formen: Bornitrid-Sputtertargets können in verschiedene Formen wie rund, quadratisch und ringförmig angepasst werden.
SGrößen: Gängige Sondergrößen umfassen
Runden: Φ1.0″, Φ2.0″, Φ3.0″, Φ4.0″, Φ5.0″, Φ6.0″, bis zu 21 Zoll Durchmesser, Dicke ≥1 mm.
Quadrat: 5″ x 12″, 5″ x 15″, 5″ x 20″, 5″ x 22″, 6″ x 20″, Dicke ≥1 mm, Länge ≤ 32 Zoll, Breite ≤ 12 Zoll.
Ressource
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Parameter für verschiedene Arten von Bornitrid-Sputtertargets
Bornitrid-Sputtertargets werden für verschiedene Verfahren eingesetzt; ihre wichtigsten Eigenschaften sind folgende:
- Datenblatt
| Parameter | Wert | Anmerkungen |
| Materialart | Bornitrid | Weiß, kristalliner Feststoff |
| Reinheit | ≥99,51 TP3T (Standard), 99,51–99,91 TP3T (hohe Reinheit) | Die Reinheit kann für spezifische Anwendungen angepasst werden. |
| Dichte | 2,2 – 2,3 g/cm³ | Gewährleistet eine effiziente Sputterleistung |
| Schmelzpunkt | Aufrechterhaltung der strukturellen Stabilität bei Temperaturen über 2000℃ | Hohe thermische Stabilität für Hochtemperaturanwendungen |
| Härte (kubische BN) | 45-50 GPa | Extrem hohe Härte, nur Diamant weist eine höhere Härte auf. |
| Wärmeleitfähigkeit (h-BN) | 300-400 W/(m·K) | Hohe Wärmeableitung, ideal für das Wärmemanagement |
| Elektrischer Widerstand | > 10¹² Ω·cm | Hervorragende elektrische Isolationseigenschaften |
| Chemische Stabilität | Ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber Säuren, Laugen und korrosiven Gasen (Cl₂, O₂ usw.). | Geeignet für raue Umgebungen und chemische Verarbeitung |
| Dickenbereich | 5-80 mm (anpassbar) | Standardziele haben typischerweise einen Durchmesser von 5-10 mm; sie können an die Anforderungen angepasst werden. |
| Größe und Form | Anpassbar (rund, quadratisch oder spezielle Formen je nach Bedarf) | Erreicht durch Diamantschneiden, Lasermikrobearbeitung oder Pulvermetallurgie |
| Sputterverfahren | HF, reaktive HF (RF-R) | Kompatibel mit verschiedenen Sputtertechniken |
| Kontaminationskontrolle | Ultra-Reinigungsprozess, vakuumversiegelt mit Feuchtigkeitssperre | Gewährleistet partikelfreie Abgabe für empfindliche Anwendungen |
| Anwendungen | Halbleiter (MOSFETs, LED-Substrate), medizinische Geräte, Hochtemperaturbeschichtungen, Energiespeicherprodukte | Vielseitig einsetzbar in den Bereichen Elektronik, Medizin und Energie |
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kubisches Bornitrid (c-BN) SputtertargetEs zeichnet sich durch hohe Härte aus und kann in extrem verschleißfesten Anwendungen eingesetzt werden, bei denen Bornitrid nicht ausreicht.
Unsere Bornitrid-Sputtertargets weisen eine Mindestreinheit von 99,51 % TTP3T auf. Für spezielle Anwendungen, bei denen extrem niedrige Verunreinigungen erforderlich sind, können wir Targets mit höherer Reinheit (99,5–99,91 % TTP3T) anbieten, die durch Heißpressen oder heißisostatisches Pressen hergestellt werden. Dabei werden Verunreinigungen (wie O, C usw.) im ppm-Bereich kontrolliert.
Die Dicke von Sputtertargets variiert je nach Anwendung. Beispielsweise werden für die Halbleiterproduktion üblicherweise 5–10 mm dicke Targets verwendet, industrielle Kupfertargets können bis zu 80 mm dick sein, und die Dicke von Komposittargets (z. B. Metall-Keramik-Laminaten) richtet sich nach der Konstruktion und liegt typischerweise zwischen 10 und 30 mm, wobei Wärmeleitfähigkeit und Isolation berücksichtigt werden. Wir können die Dicke Ihren Anforderungen entsprechend anpassen.
Ja, Form und Größe unserer Bornitrid-Sputtertargets sind individuell anpassbar. Wir liefern Standardgrößen und -formen wie rund, quadratisch usw. und bieten darüber hinaus kundenspezifische Fertigung an. Diese erfolgt mittels Diamantschneiden, Lasermikrobearbeitung oder pulvermetallurgischer Formenherstellung, ganz nach Ihren spezifischen Größenanforderungen.
Bornitrid-Sputtertargets werden hauptsächlich in der Halbleiter- und Elektronikindustrie eingesetzt, beispielsweise zur Abscheidung von Bornitrid-Isolierschichten (für MOSFETs, Substrate für tief-ultraviolette LEDs) und zur Herstellung dielektrischer Schichten für Hochfrequenzbauelemente. Im Bereich der Spezialbeschichtungen liefern sie ultraharte (Härte bis zu 40 GPa) und reibungsarme Bornitrid-Schichtlösungen für medizinische Geräte (wie Skalpelle) und Präzisionsformen. In der Herstellung integrierter Schaltungen dienen sie als hochreine, isolierende dielektrische Schichtmaterialien (z. B. als Zwischenschichtisolierung für moderne Chips). Im Bereich der neuen Energien spielen sie ihre hohe chemische Stabilität in Elektrolyt-Grenzschichten von Festkörperbatterien und Protonenaustauschmembranbeschichtungen für Wasserstoffbrennstoffzellen aus.
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